In base di presentazione dei risultati finanziari conseguiti nel terzo trimestre del 2025, il gigante coreano Samsung ha aggiornato gli investitori anche in relazione al proprio impegno nel comparto delle memorie di tipo HBM (High Bandwidth Memory).
In particolare, Samsung ha sottolinato che la memoria di tipo HBM3E, che è peraltro già nella fase di produzione in volumi, è destinata a ritagliarsi un ruolo di primo piano in virtù della forte domanda proveniene da clienti che operano nel settore della produzione di server convenzionali e di server per applicazioni AI.
Nel 2026, invece, Samsung concentrerà la proprio attenzione sulla produzione in volumi della memoria di tipo HBM4. E a tal proposito il chip maker ha ufficializzato che i primi sample di HBM4 sono stati già inviati ai clienti chiave.
In generale la memoria HBM è in grado di offire una banda superiore rispetto a quella ottenibile con le tecnologia DDR e GDDR in virtù dell'architettura di tipo a stack che prevede la sovrapposizione di più die di memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory) gestiti da un unico controller HBM.
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