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Samsung realizza le prime SD basate su NAND MLC a 20nm

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19.04.2010 - Samsung realizza le prime SD basate su NAND MLC a 20nm

Con il comunicato stampa di seguito allegato, Samsung Electronics ha annunciato la realizzazione di chip di NAND MLC aventi una capacitą di 32Gb (gigabit), prodotti in tecnologia a 20nm e destinati all'utilizzo per la fabbricazione di memory card di tipo Secure Digital (SD).

In accordo al produttore, i nuovi chip di NAND MLC rendono possibile la realizzazione di SD pił veloci di circa il 30% rispetto a quelle basate su NAND MLC a 30nm (le velocitą dichiarate da Samsung sono pari a 20MB/s in lettura e a 10MB/s in scrittura, ndr). Samsung promette inoltre miglioramenti anche nell'ottica dell'affidabilitą.

I primi sample engineering di Secure Digital con NAND MLC da 20nm sono state inviate ai principali clienti ed entreranno in produzione entro fine anno. Le capacitą di memorizzazione delle nuove SD saranno comprese tra 4GB e 64GB.


[Immagine ad alta risoluzione]


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