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Samsung Electronics ha dato il via di recente alla fornitura ai partner dei primi sample engineering di chip di memoria di tipo DRAM DDR4 con capacità pari a 32Gb o, trasformando i bit in byte, a 4GB. Questi chip, che rappresentano un inedito nel catalogo di Samsung Electronics in virtù della elevata capacità di memorizzazione, si fanno...»

La memoria HBM (High Bandwidth Memory) di seconda generazione, o HBM2, viene sempre più impiegata dai produttori dei dispositivi elettronici ed alla base del suo successo vi è certamente il fatto che NVIDIA ha fatto ricorso alla memoria HBM2 per i prodotti grafici Tesla P100 e Quadro GP 100, e, analogamente, AMD la utilizza per le GPU della linea Vega. Al...»

Samsung ha ampliato la linea di drive a stato solido SSD 850 EVO con una variante caratterizzata da una capacità di memorizzazione pari a 4TB. La nuova SKU implementa il form factor da 2.5-inch e ha una interfaccia di tipo SATA 6Gbps. Alla base della nuova unità di storage di Samsung vi sono otto stack di memoria flash 3D V-NAND...»

Intel e Micron hanno annunciato lo sviluppo di una nuova tecnologia, denominata 3D NAND, che consente la realizzazione di chip di memoria di tipo NAND Flash - che sappiamo essere ampiamente utilizzata per la realizzazione di numerose device di storage, tra cui naturalmente gli SSD, nettamente più performanti ma anche più costosi degli HDD tradizionali...»

Interactive Knowledge Stack (IKS), il progetto open source che ha l'obiettivo di rendere più rapida l'adozione delle tecnologie del web semantico nei sistemi di content management, organizza il suo secondo workshop annuale ad Amsterdam il 9 e il 10 dicembre. Il workshop fornirà un'anteprima di alcuni dei componenti software sviluppati dal progetto,...»