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Samsung Electronics ha annunciato di recente l'avvio della produzione in volumi, mediante un processo con geometria pari a 20nm, dei chip da 4GB di memoria DRAM High Bandwidth Memory di seconda generazione, o sinteticamente HBM2. In base alle informazioni e ai dati ufficiali, un chip di HBM2 da 4GB viene realizzato sovrapponendo verticalmente...»

Samsung ha reso noto di recente che ha avuto inizio la produzione in volumi dei primi chip di memoria DRAM di tipo LPDDR4 (Low Power, Double Data Rate 4) caratterizzati da una densità pari a 12Gb (gigabit). In accordo al maker coreano, non esistono competitor in grado di proporre la produzione di chip analoghi. Per la fabbricazione dei chip...»

Micron Technology ha dato il via alle prime spedizioni dei suoi chip di memoria G-DDR5 realizzati con un processo di fabbricazione caratterizzato da una geometria a 20nm. Più in dettaglio, Micron, forte dell'acquisizione dell'azienda nipponica Elpida, noto produttore di DRAM G-DDR5 per video card, notebook e console, sta proponendo i chip di G-DDR5...»

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) si occuperà, per conto di Apple, della produzione dei SoC finalizzati all'equipaggiamento degli iPad di nuova generazione, il cui lancio commerciale è pianificato per la prima parte del 2015. TSMC ha utilizzerà un processo a 20nm per la fabbricazione dei SoC dei nuovi iPad, indicati dalla fonte con...»

Intel ha annunciato una nuova linea di drive a stato solido denominata SSD 730 Series. Le nuove unità hanno un form factor pari a 2.5-inch e sono realizzate con l'ausilio di chip di memoria NAND Flash di tipo MLC fabbricati con un processo a 20nm. In accordo al produttore, i drive SSD 730, la cui interfaccia verso il mondo è di tipo SATA...»

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ha raggiunto un accordo con Apple per la fornitura di chip realizzati con i processi di fabbricazione a 20nm e 16nm. Lo si apprende da un report del sito taiwanese DigiTimes. In accordo alla fonte, la notizia non è stata confermata ufficialmente (naturalmente TSMC non può pubblicizzare accordi commerciali...»

Crucial ha pianificato il lancio di varianti con form factor mSATA dei drive della linea di SSD M500. Le nuove soluzioni M500 mSATA saranno disponibili con tre differenti capacità di memorizzazione, pari a 120GB, 240GB e 480GB. I drive a stato solido M500 mSATA di Crucial sono basati su chip di NAND flash di tipo MLC fabbricati con...»

OCZ Technology ha annunciato di recente il rinnovamento della gamma di drive a stato solido, o SSD, da 2.5-inch siglata Vertex 3 in virtù dell'introduzione di nuove soluzioni realizzate con l'ausilio di chip di memoria NAND flash fabbricati con un processo a 20nm. I nuovi prodotti saranno commercializzati a breve nell'ambito della nuova linea...»

Il produttore di dispositivi a semiconduttore Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ha raggiunto un accordo con Apple in base al quale produrrà un SoC a 20nm per conto del chip designer statunitense. In accordo alla fonte, il SoC a 20nm dovrebbe entrare nella fase di produzione in volumi nel periodo compreso tra l'ultimo trimestre del...»

Intel ha pianificato l'ampliamento della linea di SSD denominata 335 Series, che al momento include esclusivamente soluzioni caratterizzate da una capacità di memorizzazione pari a 240GB, mediante l'introduzione di due nuovi modelli. Siglati SSDSC2CT080A4K5 e SSDSC2CT1804K, i nuovi drive a stato solido sono dotati di una capacità...»