Samsung Electronics ha annunciato il completamento dello sviluppo dei primi chip al mondo di memoria RAM LPDDR5 da 8Gb realizzati con l'ausilio del nodo a 10nm. Più in dettaglio, Samsung ha completato i test funzionali e la validazione del protitipo di un package di memoria LPDDR5 da 8GB dotato, a sua volta, di 8 chip di LPDDR5 da 8Gb.
In accordo al produttore, i nuovi chip di RAM LPDDR5 possono garantire data rate fino a 6.4Gbps, in corrispondenza di una tensione di polarizzazione pari a 1.1V, e fino a 5.5Gbps con una tensione di polarizzazione pari a 1.05V.
A fronte delle prestazioni elevate, pari a 1.5 volte quelle ottenibili con la memoria LPDDR4X caratterizzata da data rate pari a 4266Mb/s e utilizzata nei dispositivi mobile flag-ship, la memoria LPDDR5 consente nello stesso tempo la riduzione del consumo di potenza quantificabile in 30 punti percentuali.
Samsung Electronics non ha fornito alcuna tempistica inerente il passaggio in produzione dei chip di memoria LPDDR5 da 8Gb dal momento che la stessa JEDEC non ha ancora finalizzato le specifiche della memoria LPDDR5, i cui ambiti applicati almeno inizialmente coincidono con l'AI e il mobile.
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