Samsung ha annunciato che di aver dato il via alla produzione in volumi dei chip di memoria V-NAND a 64 layer con capacità pari a 256Gb (32GB), una tecnologia che può essere definita come la V-NAND di quarta generazione.
Rispetto ai chip di V-NAND a 48 layer con capacità di 256Gb, realizzati dalla stessa Samsung, i nuovi IC a 64 layer sono più efficienti dal punto di vista energetico poichè la tensione di polarizzazione passa da 3.3V a 2.5V. Inoltre, i nuovi chip promettano un aumento dell'affidabilità quantificabile in circa il 20%, un incremento della produttività pari al 30% e una velocità di trasferimento pari a 1Gbps.
I nuovi chip di V-NAND a 64 layer da 256Gb fabbricati da Samsung sono finalizzati alla realizzazione dei drive di storage, e in particolare delle memory card, delle memoria di massa di tipo Universal Flash Storage (UFS) e degli SSD. I primi sample di tali unità di memorizzazione sono stati forniti ad alcuni clienti chiave già a gennaio 2017: tuttavia le nuove soluzioni per lo storage raggiungeranno il mercato entro fine anno.
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