Qualcomm e Samsung Electronics stanno collaborando per la realizzazione del prossimo SoC Snapdragon 835 dedicato all'equipaggiamento dei dispositivi mobile. Più in dettaglio, lo Snapdragon 835 è un chip progettato dagli ingegneri di Qualcomm ed è attualmente in fase di produzione in volumi con l'ausilio del nodo a 10nm FinFET di Samsung.
Qualcomm ha optato per la tecnologia di fabbricazione a 10nm poichè garantisce elevate prestazioni a fronte di un consumo di potenza contenuto: per fissare le idee, rispetto al nodo a 14nm FinFET, quello a 10nm consente di incrementare le performance fino al 27% e di contrarre fino al 40% il consumo di potenza.
Senza contare che con la tecnologia a 10nm FinFET è possibile ridurre la superficie dei chip, semplificando quindi la fase di progettazione dei dispositivi destinati a utilizzarli, poichè aumenta lo spazio disponibile per gli altri componenti (come la batteria per gli smartphone), e facilitando la realizzazione di dispositivi compatti.
I primi dispositivi equipaggiati con uno Snapdragon 835 (questo chip è destinato a sostituire gli attuali Snapdragon 820 e Snapdragon 821) sono attesi sul mercato nel corso della prima parte del 2017.
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