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Samsung annuncia lo sviluppo di moduli di memoria DDR5 da 512GB

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25.03.2021 - Samsung annuncia lo sviluppo di moduli di memoria DDR5 da 512GB

Samsung Electronics ha annunciato di aver ampliato il proprio catalogo relativamente alle memorie DRAM DDR5 con l'introduzione di moduli da 512GB fabbricati con la tecnologia High-K Metal Gate (HKMG).

In accordo al produttore, questo modulo pu˛ contare sulla dotazione di chip di memoria DRAM DDR5 in cui 8 layer, ciascuno dei quali implementa 16GB, sono interconnessi verticalmente mediante la tecnologia TSV (Through-Silicon Via).

I vantaggi offerti dai nuovi moduli non sono soltanto di tipo prestazionale - a tal proposito essi possono vantare un transfer rate massimo pari a 7.200Mbps, ed Ŕ questo un valore pari a pi¨ del doppio rispetto a quello ottenibile con le DDR4 - ma anche in relazione all'impatto ambientale.

Infatti, le nuove memorie di Samsung garantiscono un consumo di potenza inferiore di 13 punti percentali. Questa caratteristica, in aggiunta alle performance e alla capacitÓ elevate, rendono tali componenti ideali per i data center.

In termini di ambiti applicativi, le DDR5 da 512GB sono indirizzate al supercomputing, e in particolare ai sistemi dedicati all'artificial intelligence (AI), al machine learning (ML) e al data analytics, e inoltre al networking.

Sample dei moduli DDR5 di Samsung sono stati giÓ inviati ai clienti con finalitÓ di testing e validazione.





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